纳米技术与精密工程 /nm/oa &nbsp;基于自抗扰控制算法的麦克斯韦快刀伺服控制系统 /nm/oa/darticle.aspx?type=view&id=2017501 &nbsp;使用麦克斯韦力驱动的快速伺服刀具加工自由曲面,可以获得表面质量更优的加工效果.在快刀控制系统中引入适当的控制方式能够改善快刀的频响性能.本文针对麦克斯韦快刀,搭建包括软硬件在内的控制系统,硬件控制结构采用FPGA+DSP嵌入式控制架构,并加入自抗扰先进控制算法实现系统良好的抗干扰性能.为验证闭环控制系统性能,在自主搭建的精密位移测试平台进行系统位移分辨力和闭环带宽的测试,测试结果表明系统位移分辨力为5 nm,对频率108 Hz、峰峰值16 μm正弦信号的跟踪误差为0.136 μm,对频率540 Hz、峰峰值16 μm正弦信号的跟踪误差为0.094 μm.快刀系统行程50 μm,闭环带宽4 kHz.线下仿真加工实验验证了快刀系统对常规面型的加工能力. 2017年09月15 00:00 2017年5期 335 341 1866129 &nbsp;房丰洲, 陈晓菲, 张效栋, 李泽骁 &nbsp;紫外LED辅助的4H-SiC化学机械抛光 /nm/oa/darticle.aspx?type=view&id=2017502 &nbsp;在4H-SiC晶片的化学机械抛光(CMP)体系中加入紫外LED系统,研究TiO2颗粒、紫外LED光功率、抛光温度和抛光液pH值对4H-SiC晶片抛光性能的影响规律,以获得较高的材料去除速率(MRR)和原子级光滑表面,满足LED器件对衬底材料表面的严格要求.结果表明,采用平均粒径25 nm、质量分数为2%的TiO2颗粒,可显著提高MRR,且减少微划痕等表面缺陷;增大紫外LED功率,MRR随之增大;升高抛光温度,MRR快速提高,并可降低抛光所得表面粗糙度;在CMP体系中加入紫外体系可增加羟基自由基数量,抛光液pH值较低(2.2)也可维持较高MRR值,且抛光液pH值超过10时MRR值大幅提高.采用原子力显微镜(AFM)、光学显微镜来考察4HSiC晶片抛光后的表面质量.基于各因素的影响规律,最终获得表面粗糙度为0.058 6 nm的4H-SiC晶片表面,且MRR达到352.8 nm/h. 2017年09月15 00:00 2017年5期 342 346 1637650 &nbsp;叶子凡1, 周艳2,3, 徐莉2,3, 潘国顺1,2,3 &nbsp;基于无阻尼扭转波干涉的磁致伸缩位移传感器 /nm/oa/darticle.aspx?type=view&id=2017503 &nbsp;为增大检测信号的输出幅值和降低反射波对测量精度的影响,在传统磁致伸缩位移传感器结构基础上,提出一种基于无阻尼扭转波干涉的位移测量方法.制作了Fe-Ga磁致伸缩位移传感器样机,检测线圈输出的电压幅值由42 mV提高到65 mV,信噪比由11.6 dB提高到22.5 dB,位移分辨力提高1倍.对扭转波的两种时间定位方法进行分析,提出了一种动态双侧阈值法的时间定位方法,给出了此方法使用的范围及阈值选取的方法,推导了此方法所能提高的测量精度,并通过实验证明了此方法的测量精度约提高了1倍. 2017年09月15 00:00 2017年5期 347 352 1154105 &nbsp;王博文, 谢新良, 张露予, 崔晓静<br />